阿贝克传感器(ABEK SENSORS)成立于2015年,坐落于北京市昌平区,是一家专业的LVDT、RVDT位置传感器制造商,公司核心团队成员在传感器领域拥有超过50余年的工作经验。阿贝克传感器专注于高可靠位置测量传感器产品及系统解决方案研究,先后突破耐高通量γ辐照1000kGy、耐中子辐照10^20 NVT、耐高压200MPa、耐高温500℃LVDT位置传感器研制,并通过多项严苛试验验证。公司产品广泛应用于核电、核工业、航空航天、化工、电力、试验仪器和自动化等领域。
公司运行ISO9001质量管理体系、HAF003核电厂质量保证安全体系,推出高温耐辐照位移传感器、耐中子辐照位移传感器等已应用于中国核动力运行研究院、中国工程物理研究院(九院)、中广核集团、国核、中国原子能科学研究院、中科院近代物理研究所、中科院高能物理研究所(中国散列中子源项目)、中科院上海应用物理研究所(上海同步辐射光源项目)、CAP1400机组、华龙一号等。
超高温600°C,总积分通量超1G Gy耐水压: 20MPa
可提供单通道或冗余设计的LVDT、RVDT,可非标订制不同频率,经过完整的高低温、振动和EMC认证
单、双通道
航空航天严苛环境应用
温度范围:-55℃至+105℃、+200℃;-196℃至+400℃、550℃
阿贝克传感器有丰富的耐核辐射辐照LVDT位移传感器设计经验,公司推出的水下高温耐核辐射位移传感器、耐中子辐照位移传感器等已应用于多个大科学装置。
回弹式LVDT位移传感器具有近乎无限的分辨率和出色的重复性,是测试测量的理想选择。
耐高温LVDT位移传感器采用特殊材料及工艺生产,耐温分别为FHTA19系列200℃、FCTA10系列300℃、FCTA15系列400℃,并有耐高温耐核辐射ATX-XR系列。
信号调理器可以与几乎所有LVDT、RVDT及半桥LVRT传感器兼容,输出电压、电流信号现场可切换,激励频率可选,滤波带宽可调节。
直流输出LVDT内置解调电路,可输出0-5V、0-10V、4-20mA信号方便与PLC、信号采集设备等连接。
ABEK SENSORS为众多深海水下应用订制LVDT位移传感器,适用于深潜器、水下舵机、海底管道监测、井架监测、系泊装置等。
阿贝克为众多阀门位置测量提供LVDT传感器,可用于液压阀、反馈阀、核级喷淋阀、比例阀、伺服阀等。
FCXA10系列高温高压LVDT可以使用在高压140MPa,高温200℃,这些微型LVDT可以应用于岩石三轴高温高压试验机、液压设备、嵌入机器人及恶劣的井下环境。
FLAR19系列LVDT线性位置传感器取得本安防爆认证,防爆等级Ex ia ⅡC T6 Ga,可在有爆炸性气体、蒸汽、粉尘等危险场所安全运行
RVDT采用与LVDT相同的差动变压器式原理,即把机械部件的的旋转传递到角位移传感器的轴上,带动与之相连的扰流片/铁心,改变线圈中的感应电压/电感量,输出与旋转角度成比例的电压/电流信号。
从测试设备到机载、箭载使用,ABEK SENSORS的LVDT/RVDT传感器在不同的条件和环境下合格使用。ABEK提供单通道、双通道、三冗余、四冗余,从小的修改到全面订制。
当您现有的位置传感器供应商停产、不再提供特定设计或者价格过高时,例如Macro Sensors、Schaevitz 、Measurement、Kavlico,ABEK SENSORS工程师随时准备为您提供帮助,我们将与您合作,对原始设计进行逆向工程。
我们生产的传感器经过专门设计,可承受工业应用的恶劣要求,包括室内和室外应用的高振动、长期浸没、高湿度和高压冲洗。我们的技术可产生准确、可重复的测量结果。可提供高达 IP-69K 的防护等级。
高温:600℃
低温:-210℃
防爆:本安Ex ia ⅡC T6 Gb
耐辐照:耐中子:1019 NVT γ:1G Gy
耐高压(非导电介质):160MPa
耐海水压力:35MPa、110MPa
LVDT传感器适用于各种严苛环境的位置测量,LVDT是如何工作的,以及为何受到用户青睐…
RVDT传感器适用于各种严苛环境的位置测量,RVDT是如何工作的,以及为何受到用户青睐…
LVDT位移传感器是众多位置测量应用的理想选择,例如:无摩擦测量结构、近乎无限的机械寿命、出色的可重复性…